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[黃昆論壇]第359期:激光图形化诱导纳米结构阵列外延制备

2021-06-17
報告題目:激光圖形化誘導納米結構陣列外延制備
 
报告人:彭长四 特聘教授 (苏州大学)
 
报告时间:2021年6月22日(星期二) 下午 15:00
 
报告地点:九五至尊娱乐棋牌图书馆101会议室
 
報告摘要:納米材料制造的傳統方法涉及自上而下的光刻圖形化和/或自下而上的自組裝。但是,這些方法有他們的局限性:(1)將光刻圖形化轉移到材料所需的蝕刻過程在原子尺度上引發的晶格破壞和化學汙染,由此産生的缺陷水平比實際要求極限至少高兩個量級。(2)自組裝的替代方法可以制備無缺陷納米結構,但是,其結構的産生是無序、隨機和不可控過程。爲了克服這些限制。我們通過激光圖形化誘導自組裝生長或誘導刻蝕具有精確尺寸、形狀和組成的納米結構的密集陣列。報告主要介紹GaAs晶圓基底上外延制備InAs納米結構陣列材料:在材料外延生長過程中通過激光幹涉圖案誘導,改變局部反應過程和/或局域應力分布,爲納米結構(例如:量子點/線)陣列的成核提供場所(能量最低位置),利用光熱或光化學反應在由激光幹涉圖案預先確定的位置形成無缺陷的自組裝生長(圖1c)或刻蝕(圖1e)。當然,這樣的材料生長和刻蝕圖案也可以擴展到:通過任意設計的掩膜投影到晶圓表面。
 
報告人簡介:彭長四,蘇州大學特聘教授,光電學院公共平台主任。1990年獲武漢大學理學學士學位,1998年獲中科院物理所理學博士學位,2009年(在職)獲(芬蘭)坦佩雷理工大學工學博士學位。2000年任中科院物理所副研究員;1999-2000,以中日青年科學家交流身份在日本築波電子綜合研究所從事太陽能電池研究;2001-2009年,就職于(芬蘭)坦佩雷理工大學,曆任博士後(1年)和高級研究員(8年);2009年底-至今,受聘蘇州大學特聘教授;2018.06-2019.05,受聘(英國)貝德福特大學兼職教授;現任(英國)貝德福特大學和(英國)謝菲爾德大學客座教授。發表Springer專著1部,其他專著4章,180多篇同行評審論文,他引2000余次,專利授權19項,包括美國、歐盟、德國、法國、英國、芬蘭、西班牙授權發明專利各1項。領導了包括科技部重大專項、自然科學基金、歐盟FP6和FP7、芬蘭科學院等資助研究項目9項。
 


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