MXene功能化紙基電化學免疫傳感器用于高靈敏心肌肌鈣蛋白I的檢測
大角度非視距紫外光語音傳輸通信系統的實現
寬度可調的二維/一維異質結的合成
光量子通信芯片發展簡述
研究使用有機半導體納米管創造新電化學致動器
山大陳峰團隊實現離子束直寫的二維集成元器件
武漢大學物理科學與技術學院範德華異質雙層中激子的辨認取得重要進展
西安交大科研人員在超冷原子物理領域取得系列新進展
北大物理學院馬仁敏課題組實現基于模式耦合光場局域化機制的魔角激光器
1/f噪聲抑制的光學外差幹涉傳感芯片
官方微信
友情鏈接

微米孔图形化刻蚀实现超薄势垒AlGaN/GaN 异质结上的低温无金欧姆接触

2021-09-10

在常規的勢壘層刻蝕技術路線下,較高的2DEG濃度與較低的勢壘高度是無法兼得的——更厚的勢壘層可以誘導出更高濃度的2DEG,但是AlGaN材料禁帶寬度比GaN更大,即勢壘層在金屬-GaN肖特基勢壘的基礎上額外引入一個勢壘高度較大的勢壘,而保留較厚的勢壘層將進一步降低電子隧穿幾率。在此技術路線下,接觸電阻RC已經到達了極限,無法通過優化單項工藝繼續降低。

中國科學院微電子研究所黄森研究员课题组提出了图形化的势垒层刻蚀方案以打破接触电阻瓶颈,即在欧姆接触区进行图形阵列刻蚀,实现厚度周期性变化的势垒层,势垒层较厚的区域诱导出高浓度2DEG,电子在势垒层较薄处(或过刻蚀区域)完成金属和半导体材料之间的穿越。实现了较低的接触电阻。该工作采用了无金体系,有利于实现CMOS兼容工艺;且退火温度低于650 ℃,可以有效减少高温对三族氮化物表面和介质/氮化物界面的损伤。

图1. 利用微米孔图形化欧姆刻蚀技术制备的兼容Si-CMOS的GaN-HEMTs 结构图。

论文针对超薄势垒的AlGaN/GaN异质结构,开发出基于微米孔势垒层刻蚀的低温Ti/Al/Ti/TiN无金欧姆接触技术。通过在欧姆区域进行图形化刻蚀,在550 ℃的低温合金退火后,实现了较低的Ti/Al/Ti/TiN无金欧姆接触电阻。还发现了采用微米孔刻蚀工艺的欧姆接触传输长度显著降低,且其传输长度展现出与微孔尺寸的强烈相关性,这有利于进一步减小GaN基器件芯片面积,降低制造成本。

Low-thermal-budget Au-free ohmic contact to an ultrathin barrier AlGaN/GaN heterostructure utilizing a micro-patterned ohmic recess

Wen Shi, Sen Huang, Xinhua Wang, Qimeng Jiang, Yixu Yao, Lan Bi, Yuchen Li, Kexin Deng, Jie Fan, Haibo Yin, Ke Wei, Yankui Li, Jingyuan Shi, Haojie Jiang, Junfeng Li, Xinyu Liu

J. Semicond. 2021, 42(9): 092801

doi:?10.1088/1674-4926/42/9/092801

Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/42/9/092801?pageType=en

 

 

 

 

 



關于我們
下載視頻觀看
聯系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

電話

010-82304210/010-82305052(傳真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地圖
友情鏈接
中華人民共和國科技技術部
中國科學院
中國工程院
國家自然科學基金委員會
中國科學院大学
中國科學技術大學
中國科學院科技产业网
版权所有 九五至尊娱乐棋牌

備案號:,京ICP備05085259-1號 京公網安備110402500052 中國科學院半导体所声明